本发明涉及一种背接触异质结太阳能电池制造方法，它包括步骤A，其具体工艺如下：步骤a1，在半导体基板双面同步沉积第一半导体钝化层、第一半导体层和减反射绝缘层；所述第一半导体层为N型掺杂多晶硅层；步骤a2，蚀刻去除覆盖第二导电区的第一半导体钝化层、第一半导体层和减反射绝缘层以露出第二导电区；步骤a3，在第二导电区依次沉积的第二半导体钝化层和第二半导体层；所述第二半导体层为P型掺杂非晶硅层；步骤a4，蚀刻去除半导体基板第二主面外露的减反射绝缘层。本发明目的在于提供一种制造方法，其减少了工艺步骤，并采用了N型多晶硅层与P型非晶硅层交叉排列结构，在制备过程中更加耐腐蚀，以保持膜层的完整性，提高了性能。