一种GaSbxAs（1-...
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型公开了一种GaSbxAs(1‑x)空间电池外延片，包括Ge衬底，所述Ge衬底上依此设置有GaInP成核层、GaInAs缓冲层、GaAs隧穿结层、GaSbAs缓冲层、中电池、GaInP/AlGaAs隧穿结层、顶电池和欧姆接触层，所述GaSbAs缓冲层由五层组分递变GaSbxAs(1‑x)缓冲层结构组成，本实用新型通过设置组分递变的GaSbxAs(1‑x)缓冲层，新结构GaSbxAs(1‑x)缓冲层层数和厚度的减少，将使得电池外延层晶格位错密度降低，提升电池晶格质量，从而减少载流子的非辐射复合，提升电池的光电转化效率。
基本信息
专利标题 ：
一种GaSbxAs（1-x）空间电池外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020500387.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-08
授权号 ：
CN212011001U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
万智徐培强林晓珊张银桥王向武
申请人 ：
南昌凯迅光电有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市新建区临空经济区中小微企业园办公楼二楼
代理机构 ：
南昌大牛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
喻莎
优先权 ：
CN202020500387.8
主分类号 ：
H01L31/0735
IPC分类号 ：
H01L31/0735 H01L31/0352 H01L31/0304
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法律状态
2022-03-01 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 31/0735
变更事项 : 专利权人
变更前 : 南昌凯迅光电有限公司
变更后 : 南昌凯迅光电股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 330100 江西省南昌市新建区临空经济区中小微企业园办公楼二楼
变更后 : 330000 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 南昌凯迅光电有限公司
变更后 : 南昌凯迅光电股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 330100 江西省南昌市新建区临空经济区中小微企业园办公楼二楼
变更后 : 330000 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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