一种倒置三结太阳电池外延片
授权
摘要
本实用新型为一种倒置三结太阳电池外延片，包括：从下往上依次分布的：GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaInP腐蚀截止层、GaInP顶电池、第一隧穿结、GaAs中电池、第二隧穿结、第一组InAlGaAs缓冲层、InGaAs底电池、以及第二组(InAl)GaAs缓冲层；其中，第二组(InAl)GaAs缓冲层包括分段InAlGaAs组分渐变结构和GaAs接触层；第一组InAlGaAs缓冲层的晶格由小到大；第二组(InAl)GaAs缓冲层的晶格由大到小。
基本信息
专利标题 ：
一种倒置三结太阳电池外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220676375.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-03-28
授权号 ：
CN216563151U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
徐培强董耀进林晓珊李俊承潘彬王向武
申请人 ：
南昌凯捷半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号8#厂房204室
代理机构 ：
南昌金轩知识产权代理有限公司
代理人 ：
石红丽
优先权 ：
CN202220676375.X
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/0687
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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