一种GaSbxAs1-x空间四节电池外延片
授权
摘要
本实用新型涉及一种电池外延片，尤其涉及一种GaSbxAs1‑x空间四节电池外延片，包括底电池、第二节电池、第三节电池和第四节电池，将GaSbxAs1‑x取代正装GaInP/GaxIn1‑xAs/GayIn1‑yAs/Ge结构中的GayIn1‑yAs材料，在相同能隙情况下，可使第二节电池与衬底失配度减小，从而可以减少缓冲层的厚度，降低电池的制造成本。
基本信息
专利标题 ：
一种GaSbxAs1-x空间四节电池外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022494630.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-03
授权号 ：
CN212257427U
授权日 ：
2020-12-29
发明人 ：
万智徐培强林晓珊张银桥王向武潘彬
申请人 ：
南昌凯捷半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号8#厂房204室
代理机构 ：
南昌金轩知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙文伟
优先权 ：
CN202022494630.2
主分类号 ：
H01L31/0687
IPC分类号 ：
H01L31/0687 H01L31/0336
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法律状态
2020-12-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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