无应变、无缺陷的外延失配异质结结构及其制备方法
专利权的终止(专利权有效期届满)
摘要
在衬底和上部外延层间具有大晶格失配的异质结结构及形成有薄中间层结构的方法。靠形成局域的和光电惰性的刃型位错来部分消除中间层和衬底间晶格失配产生的应变。中间层在其厚度达到剩余应变会被60度穿透位错消除前中止生长。此后，以无应变和无缺陷条件在中间层上生长上部外延层。该外延层无应变晶格常数约与中间层部分弛豫应变晶格常数相等。已在GaAs衬底上生长出有3～10nm的InAs中间层的无应变、无缺陷的InGaAs外延层。
基本信息
专利标题 ：
无应变、无缺陷的外延失配异质结结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1042273A
申请号 ：
CN89106257.2
公开（公告）日 ：
1990-05-16
申请日 ：
1989-07-31
授权号 ：
CN1016296B
授权日 ：
1992-04-15
发明人 ：
马修·佛朗西斯·卡索姆彼特·丹尼尔·可西尼爱伦·克拉克·沃伦杰尼·迈克佛瑞森·伍德尔
申请人 ：
IBM国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN89106257.2
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L21/322 H01L31/036
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2009-11-11 ：
专利权的终止(专利权有效期届满)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1992-12-16 ：
授权
1992-04-15 ：
审定
1990-05-23 ：
实质审查请求
1990-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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