一种SiC异质结晶体管外延结构及器件
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摘要
本实用新型公开了一种SiC异质结晶体管外延结构及器件，所述SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括C面4H‑SiC衬底、4H‑SiC外延层、N型3C‑SiC外延层；该结构中3C‑SiC与4H‑SiC形成的异质结具有可忽略的热匹配和晶格匹配，3C‑SiC和4H‑SiC在<0001>面的晶格失配小于0.1％，具有更好的界面结构，其器件具有更好的稳定性和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种SiC异质结晶体管外延结构及器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021004350.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-04
授权号 ：
CN212874491U
授权日 ：
2021-04-02
发明人 ：
钮应喜左万胜刘洋张晓洪刘锦锦袁松胡新星史田超史文华钟敏郗修臻
申请人 ：
芜湖启迪半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹婷婷
优先权 ：
CN202021004350.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/16 H01L29/165 H01L29/04 H01L29/778
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法律状态
2021-04-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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