一种耗尽型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法

实质审查的生效

摘要

本发明公开了一种耗尽型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法，所述耗尽型SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括：SiC衬底层、N型高掺杂4H‑SiC缓冲层、N型低掺杂4H‑SiC缓冲层、掺V高阻4H‑SiC缓冲层、掺V高阻4H‑SiC漂移层、4H‑SiC沟道层、3C‑SiC势垒层；该外延结构具有高电子迁移率，且可降低漏电通道，避免衬底小面生长区域漏电流较大而导致器件失效。

基本信息

专利标题：

一种耗尽型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114284346A

申请号：

CN202111641177.6

公开（公告）日：

2022-04-05

申请日：

2021-12-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

左万胜袁松胡新星仇成功胡涵赵海明钮应喜

申请人：

芜湖启迪半导体有限公司

申请人地址：

安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803

代理机构：

芜湖安汇知识产权代理有限公司

代理人：

尹婷婷

优先权：

CN202111641177.6

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/16 H01L29/165 H01L29/812 H01L21/338

法律状态

2022-04-22 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211229

2022-04-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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