GAA结构的异质结双极晶体管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种GAA结构的异质结双极晶体管及其制备方法，该晶体管为小尺寸器件，主要利用全环绕栅式场效应晶体管(GAAFET)的工艺，制备Si/SiGe异质结双极晶体管。该结构的发射区与基区形成全包围式异质发射结，基区与集电区形成全包围式集电结，有效增加了发射结的注入效率和集电区抽取载流子的能力。对于Si/SiGe异质结，可以通过调节SiGe材料带隙宽度的变化来对载流子进行有效控制；通过提高SiGe基区的掺杂浓度使器件得到较高的Early电压，减小基极电阻，减弱大注入效应；通过减薄基区厚度大幅缩短基区渡越时间，可实现超高频、超高速和低噪声的优异性能。
基本信息
专利标题 ：
GAA结构的异质结双极晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284338A
申请号 ：
CN202111493516.0
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周春宇李作为张静包建辉尚建蕊徐超孙继浩王冠宇
申请人 ：
燕山大学
申请人地址 ：
河北省秦皇岛市海港区河北大街西段438号
代理机构 ：
北京孚睿湾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
葛凡
优先权 ：
CN202111493516.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/26 H01L29/417 H01L21/331 H01L29/737
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211208
申请日 : 20211208
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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