异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法
授权
摘要
本申请提供一种异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法，该二极管包括衬底层、GaAs缓冲层、第一掺杂Si的GaAs层、第二掺杂Si的GaAs层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层；衬底层、GaAs缓冲层、高掺杂N+层、低掺杂N层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层依次层叠连接。本申请提供的异质结AlGaAs/GaAs二极管中，Al组分和GaAs本征层厚度的优化使该二极管在进一步减小材料的导通电阻的同时保持其较大的耐压能力，同时在掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层上面增加了高浓度掺杂Be或C的GaAs层，能够有效减小欧姆接触电阻，从而减低二极管的插入损耗，能够有效提高二极管材料的射频性能。
基本信息
专利标题 ：
异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111244188A
申请号 ：
CN202010060088.1
公开（公告）日 ：
2020-06-05
申请日 ：
2020-01-19
授权号 ：
CN111244188B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
孙浩刘莉李彩艳张祁莲高一强钱蓉孙晓玮
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN202010060088.1
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/267 H01L21/329
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-06-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/861
申请日 : 20200119
申请日 : 20200119
2020-06-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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