一种垂直应变双极结型晶体管及其制备方法
公开
摘要
本申请涉及一种垂直应变双极结型晶体管及其制备方法，垂直应变双极结型晶体管包括发射区、集电区和基区，所述发射区包括衬底和凸出于衬底表面的凸台，所述凸台的表面设有所述基区，所述基区环绕式包裹所述集电区，氮化硅应力薄膜环绕式包裹所述基区的外侧壁，本申请利用氮化硅应力薄膜环绕式包裹所述基区的外侧壁，可提供单轴应力，提高载流子迁移率，进而提高器件的特征频率。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直应变双极结型晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628510A
申请号 ：
CN202210278016.3
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹建林何刚彭琪
申请人 ：
深圳市诚芯微科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区南湾街道下李朗社区布澜路31号李朗国际珠宝产业园厂房一A3栋601
代理机构 ：
北京维正专利代理有限公司
代理人 ：
朱鹏程
优先权 ：
CN202210278016.3
主分类号 ：
H01L29/737
IPC分类号 ：
H01L29/737 H01L29/732 H01L21/331
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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