垂直双极型晶体管
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
双极型和CMOS晶体管。掩膜、图形制作和注入被集成以减少复杂性，形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的并合多晶硅。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区城嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。
基本信息
专利标题 ：
垂直双极型晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1050469A
申请号 ：
CN90108153.1
公开（公告）日 ：
1991-04-03
申请日 ：
1988-01-30
授权号 ：
CN1018779B
授权日 ：
1992-10-21
发明人 ：
拉杰夫·让·沙夏托安·特兰
申请人 ：
得克萨斯仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
傅远
优先权 ：
CN90108153.1
主分类号 ：
H01L29/50
IPC分类号 ：
H01L29/50 H01L29/73 H01L21/82
法律状态
2004-04-07 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-06-02 ：
授权
1992-10-21 ：
审定
1991-04-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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