一种氧化物半导体双极型晶体管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种氧化物半导体双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：基底；集电极，位于所述基底上；n型集电区，形成于所述集电极之上；p型基区，形成于所述n型集电区之上；n型发射区，形成于所述p型基区之上；基极，形成于所述p型基区之上靠近边缘位置；发射极，位于所述n型发射区上。本发明还提供了一种半导体双极型晶体管的制备方法，所有材料制备均可通过磁控溅射实现，操作简单，工艺成本较低。在沉积氧化物半导体薄膜时，通过选择合适的磁控溅射工艺过程中氩气与氧气的通气比例，以及退火环境和氛围，成功调整了薄膜中电子或空穴的浓度，使该器件成功实现双极型晶体管的特性。
基本信息
专利标题 ：
一种氧化物半导体双极型晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361253A
申请号 ：
CN202111638905.8
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴汪然俞祚旭杨光安孙伟锋时龙兴
申请人 ：
东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区东南大学路2号
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈廉
优先权 ：
CN202111638905.8
主分类号 ：
H01L29/732
IPC分类号 ：
H01L29/732 H01L29/737 H01L21/34 H01L21/02 H01L21/363 C23C14/35 C23C14/04 C23C14/08 C23C14/58
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/732
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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