绝缘栅双极型晶体管装置及半导体芯片
授权
摘要
本实用新型涉及一种绝缘栅双极型晶体管装置及半导体芯片，包括底板、至少两个直接敷铜基板、至少两个绝缘栅双极型晶体管芯片、以及至少两个二极管芯片；直接敷铜基板设置于底板上，且每个直接敷铜基板上至少设置有一个绝缘栅双极型晶体管芯片和一个二极管芯片；二极管芯片相对设置，且至少两个直接敷铜基板上的绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片均呈镜像排布；直接敷铜基板上的绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片外围设置有绝缘沟槽，以划分出位于绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片与绝缘沟槽之间的散热区，且绝缘栅双极型晶体管与二极管芯片之间的散热区宽度大于预设宽度。上述绝缘栅双极型晶体管装置及半导体芯片散热性能好。
基本信息
专利标题 ：
绝缘栅双极型晶体管装置及半导体芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020415276.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-27
授权号 ：
CN211700252U
授权日 ：
2020-10-16
发明人 ：
王咏崔晓方碧芹
申请人 ：
广东芯聚能半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市南沙区南沙街道南林路一巷73号之四103房
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN202020415276.7
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/492 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-10-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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