半导体台面二极管芯片
授权
摘要
本实用新型属于二极管加工应用技术领域，涉及台面二极管芯片，尤其涉及一种半导体台面二极管芯片。包括硅片衬底层、设置在硅片衬底层底部的N+阴极层以及设置在硅片衬底层顶部的P+阳极层，所述硅片衬底层和P+阳极层呈台面状设置，所述硅片衬底层的底部还设置有P+场限圈，所述P+场限圈包裹在P+阳极层外设置，所述P+场限圈和P+阳极层之间间隔设置，本实用新型通过在硅片衬底层的上表面加设P+场限圈，使P+场限圈与硅片衬底层之间形成一个PN结，进而拓宽PN结终端空间电荷区宽度，同时P+场限圈与P+阳极层之间间隔设置，进而避免器件体内漏电流不受P+场限圈影响，从而使半导体台面二极管芯片击穿电压高，漏电流小，耐压能力强且可靠性强。
基本信息
专利标题 ：
半导体台面二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020637989.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-24
授权号 ：
CN211578763U
授权日 ：
2020-09-25
发明人 ：
魏兴政李浩
申请人 ：
济南兰星电子有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市章丘区明水街道赭山工业园
代理机构 ：
济南誉琨知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
庞庆芳
优先权 ：
CN202020637989.8
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2020-09-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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