一种半导体发光二极管芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体发光二极管芯片，包括：提供一衬底层，在衬底层上依次生长低温缓冲层、高温非掺杂半导体层、牺牲层、第一导电类型半导体层、发光层、电子阻挡层、第二导电类型半导体层，构成芯片制程前端外延结构；利用刻蚀技术对芯片制程前端外延结构中的第二半导体层上表面与部分高温非掺杂半导体层间的外延层边缘进行刻蚀，形成刻蚀结构单元；对刻蚀结构单元中的牺牲层进行横向腐蚀，保留预设比例的牺牲层；在预设比例的牺牲层四周形成第一电极。本实用新型利用湿法腐蚀技术，腐蚀掉部分牺牲层，在腐蚀掉部分牺牲层的地方生长第一电极，增大第一电极，使电流可以横行流动，电流分布均匀，改善了电流扩展问题提高了发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体发光二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123355146.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
CN216528936U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
闫其昂王国斌
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城23幢205室
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
冯瑞
优先权 ：
CN202123355146.2
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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