一种高亮度半导体发光二极管芯片
授权
摘要
本实用新型提供一种高亮度半导体发光二极管芯片，包括图形化蓝宝石衬底，所述图形化蓝宝石衬底包括上表面带有凸起图文的蓝宝石基底，所述凸起图文上设有DBR图层。本实用新型的芯片，蓝宝石衬底上设置凸起图文，利于磊晶生长时成核，提高晶体质量和抗ESD能力；凸起图文上有DBR图层，提高衬底对有源区发出的光的反射率，从而提高发光强度；通过DBR来制作图形化衬底以及采用蓝宝石基底上的凸起图文和DBR图层的结合，与传统的蓝宝石图形衬底相比，具有独特的反射结构，既能确保后续缓冲层等外延层的生长需求，又能改善外延层晶体质量和改善反射有源区发出的光，从而达到提高器件发光亮度、提高器件抗静电能力和提高抗反向电压的能力的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种高亮度半导体发光二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020403332.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-26
授权号 ：
CN211238279U
授权日 ：
2020-08-11
发明人 ：
汪延明季辉
申请人 ：
湘能华磊光电股份有限公司
申请人地址 ：
湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
代理机构 ：
长沙七源专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周晓艳
优先权 ：
CN202020403332.5
主分类号 ：
H01L33/10
IPC分类号 ：
H01L33/10 H01L33/22 H01L33/12 H01L33/00
法律状态
2020-08-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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