提高亮度的发光二极管芯片制作方法
授权
摘要
本申请公开了一种提高亮度的发光二极管芯片制作方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括进行生长MQWs1、生长MQWs2、生长MQWs3的步骤，所述生长MQWs1包括依次生长InGaN‑1阱层和InGaN‑2阱层的步骤，所述生长MQWs2包括生长P型AlGaN/GaN高势垒结构层，所述生长MQWs3包括溅射SiO2/Al2O3薄膜以及生长GaN垒层的步骤。本发明通过采用新的LED量子阱制备方法来提升量子阱质量，从而提高LED的亮度。
基本信息
专利标题 ：
提高亮度的发光二极管芯片制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113328015A
申请号 ：
CN202110624920.0
公开（公告）日 ：
2021-08-31
申请日 ：
2021-06-04
授权号 ：
CN113328015B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
徐平
申请人 ：
湘能华磊光电股份有限公司
申请人地址 ：
湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
代理机构 ：
长沙七源专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张勇
优先权 ：
CN202110624920.0
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/06 H01L33/10 H01L33/12 H01L33/14
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-09-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20210604
申请日 : 20210604
2021-08-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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