超辐射发光二极管芯片及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种超辐射发光二极管芯片，该超辐射发光二极管芯片从下至上依次包括衬底、有源区下光限制层和有源区，该有源区包括有源增益区，该有源增益区两端均设有通过对接生长方式形成的吸收区，两个吸收区的多量子阱的光致发光谱PL波长大于有源增益区的多量子阱的光致发光谱PL波长。本发明通过三段式结构，在发光区两端各集成一段吸收区，通过对接生长的方式实现两个吸收区的多量子阱的光致发光谱PL波长大于有源增益区的多量子阱的光致发光谱PL波长。对于波长短的光源，在光源传输过程中易被两侧的吸收区波长较长的材料吸收，从而实现低纹波反射的超辐射发光二极管芯片。
基本信息
专利标题 ：
超辐射发光二极管芯片及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388666A
申请号 ：
CN202111661067.6
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张明洋周志强王任凡
申请人 ：
武汉敏芯半导体股份有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
代理机构 ：
湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人 ：
许美红
优先权 ：
CN202111661067.6
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/00 H01L33/44
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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