一种发光二极管芯片结构及其制作方法
授权
摘要
本发明提供一种发光二极管芯片结构及其制作方法，结构包括：衬底；发光外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；电流扩展层，形成于所述外延结构的部分表面；绝缘层，包裹所述电流扩展层的侧壁，所述绝缘层具有一系列图案化通孔结构；金属层，形成于所述绝缘层表面，所述一部分金属层通过部分通孔结构与所述透明导电层接触，另一部分金属层通过部分通孔结构与所述发光外延结构接触。
基本信息
专利标题 ：
一种发光二极管芯片结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110088922A
申请号 ：
CN201880004805.X
公开（公告）日 ：
2019-08-02
申请日 ：
2018-04-08
授权号 ：
CN110088922B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
刘小亮何安和彭康伟林素慧洪灵愿张家宏
申请人 ：
厦门市三安光电科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市思明区吕岭路1721－1725号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201880004805.X
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/44 H01L33/46
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2019-08-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/38
申请日 : 20180408
申请日 : 20180408
2019-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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