高发光效率的深紫外发光二极管芯片及其制作方法
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摘要
本发明公开了一种高发光效率的深紫外发光二极管芯片及其制作方法。该高发光效率的深紫外发光二极管芯片包括外延结构以及与所述外延结构相匹配的P型电极、N型电极，其中，所述外延结构包括依次叠层设置的p‑AlGaN层、多量子阱层以及n‑AlGaN层，所述n‑AlGaN层上形成有台面，所述台面包含多个六棱锥体结构。本发明实施例提供一种高发光效率的深紫外发光二极管芯片，在对n‑AlGaN进行图形化的同时，基于特定图形、尺寸以及表面覆盖率的设置，有效降低了DUV LED的全反射，并显著提高了DUV LED的光提取效率。
基本信息
专利标题 ：
高发光效率的深紫外发光二极管芯片及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111525010A
申请号 ：
CN202010362919.0
公开（公告）日 ：
2020-08-11
申请日 ：
2020-04-30
授权号 ：
CN111525010B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
周玉刚陆佑铭许朝军王安生张荣
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202010362919.0
主分类号 ：
H01L33/20
IPC分类号 ：
H01L33/20 H01L33/00
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-09-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/20
申请日 : 20200430
申请日 : 20200430
2020-08-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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