提高量子效率的大功率发光二极管芯片

专利权的终止

摘要

一种提高量子效率的大功率发光二极管芯片，主要包括：外延层、衬底，其特征在于所述外延层设置在衬底上，外延层设置为分离的微单元结构的阵列，外延层顶面可设置一导光层，导光层上设有微结构，或直接在外延层顶面设有微结构。本实用新型的优点是采用微单元结构的阵列提高了发光二极管的量子效率，增加发光二极管的散热效率，通过引入导光层上加工微结构，更加有效地提高了发光二极管的量子效率，使发光二极管照明光源更加节能。

基本信息

专利标题：

提高量子效率的大功率发光二极管芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720076694.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-10-26

授权号：

CN201149873Y

授权日：

2008-11-12

发明人：

甘志银刘胜王恺汪沛

申请人：

甘志银;刘胜

申请人地址：

201203上海市张江碧波路500号309室

代理机构：

上海市华诚律师事务所

代理人：

李平

优先权：

CN200720076694.2

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00