InGaN量子点发光二极管
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摘要
本实用新型提供一种InGaN量子点发光二极管，属于半导体技术领域。包括蓝宝石衬底；设于蓝宝石衬底上面的GaN形核层；设于GaN形核层上面的未掺杂的GaN层；设于未掺杂的GaN层上面的n型GaN层；设于n型GaN层上面的第一GaN势垒层；设于第一GaN势垒层上面的量子阱区，量子阱区包括5～15周期的量子阱层，每个量子阱层从下至上依次包括InGaN量子点层、非线性变速生长的量子点盖层和第二GaN势垒层；设于量子阱区上面的p型AlGaN电子阻挡层；设于p型AlGaN电子阻挡层上面的p型GaN层；设于p型GaN层上面的p++型GaN电极接触层。本实用新型能有效抑制量子点处In组分的偏析，减少界面位错的攀移，从而减少阱垒界面的位错密度，使量子点分布趋于均匀，实现高密度高性能InGaN量子点的制备。
基本信息
专利标题 ：
InGaN量子点发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920401393.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-27
授权号 ：
CN209389055U
授权日 ：
2019-09-13
发明人 ：
董海亮贾志刚关永莉梁建米洪龙许并社杨鑫周王康
申请人 ：
山西飞虹微纳米光电科技有限公司;太原理工大学
申请人地址 ：
山西省临汾市洪洞县甘亭工业园区飞虹微纳米光电科技有限公司
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920401393.5
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32 H01L33/00
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法律状态
2019-09-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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