ZnO基量子点发光二极管
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本实用新型公开的ZnO基量子点发光二极管是以ZnO为基，在衬底的一面自下而上依次沉积n－ZnO薄膜层、n－Zn1－xMgxO薄膜层、ZnO量子点层、p－Zn1－xMgxO薄膜层、p－ZnO薄膜层和第二电极，在衬底的另一面沉积第一电极构成，其中的ZnO量子点层由嵌于ZnO/Zn1－yMgyO量子阱层的ZnO量子点构成。本实用新型的发光二极管以ZnO量子点作为有源层，发光效率高；ZnO同质结结构，界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能；通过对ZnO量子点尺寸的调节，可得不同波段的出射光，制得紫外光、紫光或蓝光等多种发光器件。
基本信息
专利标题 ：
ZnO基量子点发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620108164.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-09-26
授权号 ：
CN200959338Y
授权日 ：
2007-10-10
发明人 ：
叶志镇曾昱嘉
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
韩介梅
优先权 ：
CN200620108164.7
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
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法律状态
2009-11-25 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-10-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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