一种提高半导体发光二极管外量子效率的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种提高半导体发光二极管(LED)外量子效率的方法，先在LED出光面外镀上一组薄膜，可以是一层或多层。该组薄膜在LED发射光波长下折射率介于LED半导体发光介质与封装用树脂或相当于封装用空气折射率之间，三组介质折射率大小顺序为：η半＞ηx＞η封，而后再灌注高分子树脂进行封装的方法。每一组中每一层薄膜在LED发射光波长下的折射率(ηx)的平方值为其前一层薄膜折射率(ηx+1)与后一层薄膜折射率(ηx－1)乘积(ηx2＝ηx－1·ηx+1)或与其相差10±2％的值，因此多层薄膜之间折射率大小顺序为：ηx+1＞ηx＞ηx－1，式中X＝1、2、3、4、5、7或9。由于所镀薄膜具有高透光性、良好色散性，因此提高了LED芯片的外量子效率、发光效率和光通量。
基本信息
专利标题 ：
一种提高半导体发光二极管外量子效率的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838439A
申请号 ：
CN200610003977.4
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
章文贡章仪
申请人 ：
福建师范大学
申请人地址 ：
350007福建省福州市福州仓山上三路8号
代理机构 ：
福州元创专利代理有限公司
代理人 ：
蔡学俊
优先权 ：
CN200610003977.4
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2008-08-20 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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