一种高效率的半导体发光元件及半导体发光装置
授权
摘要
本实用新型属于半导体的技术领域，具体涉及一种高效率的半导体发光元件，包括若干个半导体层(1)，相邻两个所述半导体层(1)的电性不相同，相邻两个半导体层(1)之间设置有发光层(2)，最顶部的所述半导体层(1)的上方和最底部的所述半导体层(1)的下方均设置有绝缘沟槽层(3)，所述绝缘沟槽层(3)内填充有散热材料(4)，若干个所述半导体层(1)形成的侧部设置有透光板(5)，所述透光板(5)的表面固定有发散层(6)。本实用新型采用易于生产的设计，有助于降低生产成本，同时，能够进行多面发光，有助于提高半导体发光元件的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种高效率的半导体发光元件及半导体发光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921213866.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-30
授权号 ：
CN210182402U
授权日 ：
2020-03-24
发明人 ：
赵智赵俊赵贤
申请人 ：
深圳创富天成电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南昌健裕第一工业区1栋201
代理机构 ：
天津市北洋有限责任专利代理事务所
代理人 ：
王滔
优先权 ：
CN201921213866.5
主分类号 ：
H01L33/08
IPC分类号 ：
H01L33/08 H01L33/06 H01L33/64 H01L33/58
法律状态
2020-03-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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