倒装发光二极管和半导体发光装置
实质审查的生效
摘要

本申请提供一种倒装发光二极管和半导体发光装置,其包括衬底、半导体堆叠层和光学薄膜堆叠层,半导体堆叠层形成在衬底的第一表面上,用于辐射光线;光学薄膜堆叠层形成在衬底的第二表面上,且包括第一反射膜组,第一反射膜组包括重复叠置的第一材料层和第二材料层,第一材料层和第二材料层的光学厚度满足:第一反射膜组对于420nm~480nm范围内的任一波长且入射角为第一角度的光线进行反射,对任一波长且入射角为第二角度的光线进行部分透射,第一角度小于第二角度。通过对光学薄膜堆叠层的材料性能、厚度进行优化,在保持大角度出光的同时,对于相对小的角度出光具有较大反射率,对于相对大的角度出光具有较小反射率,可提高倒装发光二极管的亮度。

基本信息
专利标题 :
倒装发光二极管和半导体发光装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114373845A
申请号 :
CN202111621887.2
公开(公告)日 :
2022-04-19
申请日 :
2021-12-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王庆何敏游曾江斌刘小亮夏章艮洪灵愿张中英
申请人 :
厦门三安光电有限公司
申请人地址 :
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号
代理机构 :
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王立红
优先权 :
CN202111621887.2
主分类号 :
H01L33/46
IPC分类号 :
H01L33/46  H01L33/06  
法律状态
2022-05-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/46
申请日 : 20211228
2022-04-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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