高亮度发光二极管结构
专利权的终止
摘要
本实用新型是一种高亮度发光二极管结构,该结构是包含一支座、一导热元件、一发光二极管芯片、一透镜及一胶材,其中该支座上设有二导电接脚,该导热元件是设于支座的中央位置,又该导热元件上设有发光二极管芯片,该发光二极管芯片的阴极及阳极是分别藉导线与该二导电接脚相连接,并该透镜是包覆于该支座上,且该透镜与该导热元件的间设有胶材,当发光二极管芯片发出可见光并产生热量时,是通过该胶材增加出光率再经由该透镜将光源折射后进而提升亮度,并通过该支座的导热元件将热量导出,使得达到提升整体亮度与散热的效果。
基本信息
专利标题 :
高亮度发光二极管结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820007397.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-04-07
授权号 :
CN201191617Y
授权日 :
2009-02-04
发明人 :
李上宾
申请人 :
美昌(全球)股份有限公司
申请人地址 :
英国英属凯曼群岛大凯曼佐治市
代理机构 :
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 :
孙皓晨
优先权 :
CN200820007397.7
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00
法律状态
2018-04-20 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20080407
授权公告日 : 20090204
终止日期 : 20170407
申请日 : 20080407
授权公告日 : 20090204
终止日期 : 20170407
2012-03-28 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101313124441
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2008200073977
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 美昌(全球)股份有限公司
变更后权利人 : 安德瑞国际有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 英国英属凯曼群岛大凯曼佐治市
变更后权利人 : 英属开曼群岛大开曼
登记生效日 : 20120220
号牌文件序号 : 101313124441
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2008200073977
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 美昌(全球)股份有限公司
变更后权利人 : 安德瑞国际有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 英国英属凯曼群岛大凯曼佐治市
变更后权利人 : 英属开曼群岛大开曼
登记生效日 : 20120220
2009-02-04 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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