一种高亮度发光二极管
授权
摘要
本实用新型揭示了一种高亮度发光二极管，发光二极管包括半导体衬底和发光区域，所述半导体衬底为砷化镓材质，所述发光区域依次由重掺杂GaAs接触层、AlGaInP上覆层、AlGaInP活性层、AlGaInP下覆层、AlAs蚀刻停止层和GaAs缓冲层构成，所述GaAs缓冲层接触半导体衬底。本实用新型实现了一种具有金属涂层反射永久衬底的发光二极管，有效可靠的保证了发光二极管的亮度。
基本信息
专利标题 ：
一种高亮度发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921990667.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-18
授权号 ：
CN211088297U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
夏金鑫俞红陈前锋陈乐然赵亮张金旺邱苏苏汤大伟乔莉沐张强周鑫明
申请人 ：
国网安徽省电力有限公司南陵县供电公司;国家电网有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市南陵县春谷中路187号
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱圣荣
优先权 ：
CN201921990667.5
主分类号 ：
H01L33/30
IPC分类号 ：
H01L33/30 H01L33/46 H01L33/00
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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