发多色光的半导体二极管芯片
专利权的终止
摘要

一种发多色光的半导体二极管芯片,包括基底、顶层;所述的基底由衬底及覆于其上的光发射缓冲层、半绝缘层构成;在基底上叠置有两个以上颜色光的发射芯区,每个发射芯区都是由中心的活性层及分置于上、下两侧的上、下覆盖层及上、下接触层构成;各上、下发射芯区之间、最下发射芯区与基底间、最上发射芯区上的顶层均为半绝缘层;各发射芯区设有正、负电极,分别由对应电连通的上、下接触层引至顶层。所述叠置的两个以上颜色光各为不同波长的光。其制作的发光二极管通过选定控制可发出单色或组合色的光,特别是将一定波长的光组合后可发出用途广泛的白光,拓宽了发光二极管的应用范围。

基本信息
专利标题 :
发多色光的半导体二极管芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720190718.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-12-11
授权号 :
CN201134433Y
授权日 :
2008-10-15
发明人 :
曹殿生
申请人 :
鑫谷光电股份有限公司
申请人地址 :
065001河北省廊坊市经济技术开发区祥云道73号
代理机构 :
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 :
朱丽华
优先权 :
CN200720190718.7
主分类号 :
H01L27/15
IPC分类号 :
H01L27/15  H01L33/00  
法律状态
2017-02-01 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101700966977
IPC(主分类) : H01L 27/15
专利号 : ZL2007201907187
申请日 : 20071211
授权公告日 : 20081015
终止日期 : 20151211
2008-10-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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