平面PIN光电二极管浅台面芯片
专利权的终止
摘要
本实用新型提供一种平面PIN光电二极管浅台面芯片，其外延片结构包括在n型掺杂的InP衬底上依序外延生长n型掺杂的InP过渡层、不掺杂InGaAs吸收层、不掺杂InP腐蚀终止层、不掺杂InGaAs引入层、p型掺杂InP帽层和p型掺杂InGaAs欧姆层。由于利用InP和InGaAs之间选择性腐蚀液腐蚀时，腐蚀液仅腐蚀不掺杂InGaAs引入层，对不掺杂InP腐蚀终止层不产生任何作用，从而在腐蚀工艺中可精确地控制芯片腐蚀台阶终止位置，使芯片的半导体材料表面露出宽带隙的不掺杂InP腐蚀终止层，以便有效控制芯片表面漏电流，使芯片暗电流低。
基本信息
专利标题 ：
平面PIN光电二极管浅台面芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620015280.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-10-17
授权号 ：
CN200965884Y
授权日 ：
2007-10-24
发明人 ：
曹均凯王国栋吴中海周勇
申请人 ：
深圳飞通光电子技术有限公司
申请人地址 ：
518057广东省深圳市高新技术产业园南区科技南十二路飞通大厦
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200620015280.4
主分类号 ：
H01L31/105
IPC分类号 ：
H01L31/105
法律状态
2016-11-23 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101689445364
IPC(主分类) : H01L 31/105
专利号 : ZL2006200152804
申请日 : 20061017
授权公告日 : 20071024
终止日期 : 无
号牌文件序号 : 101689445364
IPC(主分类) : H01L 31/105
专利号 : ZL2006200152804
申请日 : 20061017
授权公告日 : 20071024
终止日期 : 无
2007-10-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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