一种二极管芯片用开槽方法及二极管芯片
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摘要
本发明公开了一种二极管芯片用开槽方法及二极管芯片，要解决的是现有二极管芯片中存在的问题。本发明具体步骤如下：步骤一，将基片的待开槽面及背面涂覆光刻胶，得到具有多个单元的连续闭环形状的待开槽面；步骤二，在基片上采用干法开槽法在待开槽面开凿沟槽，得到具有初始沟槽的半成品；步骤三，在半成品的初始沟槽处采用湿法开槽法再进行开凿沟槽，形成具有最终沟槽的半成品；步骤四，去除半成品表面的光刻胶；步骤五，再对半成品进行清洗和烘干，即得到成品。本发明采用干法开槽和湿法开槽相结合的方法，形成沟槽深度深但沟槽宽度窄的造型，保证一定沟槽深度的前提下减小沟槽宽度的问题，从而增大了上电极层接触面积，减少了芯片的成本。
基本信息
专利标题 ：
一种二极管芯片用开槽方法及二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110517956A
申请号 ：
CN201910828391.9
公开（公告）日 ：
2019-11-29
申请日 ：
2019-09-03
授权号 ：
CN110517956B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
王坚红徐明成陈锋黄国军王锋
申请人 ：
常山弘远电子有限公司
申请人地址 ：
浙江省衢州市常山县金川街道柚都北路2号
代理机构 ：
北京科家知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈娟
优先权 ：
CN201910828391.9
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L21/268 H01L21/329 H01L29/861 B23K26/082 B23K26/0622 B23K26/364 B23K26/70 B23K101/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-12-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/304
申请日 : 20190903
申请日 : 20190903
2019-11-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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