微发光二极管芯片巨量转移方法
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摘要
一种微发光二极管芯片巨量转移方法，包括：在DMD芯片的多个微型振镜上形成第一胶层；将第一基板上形成的多个微发光二极管芯片粘接在第一胶层上，并使多个微发光二极管芯片与多个微型振镜一一对应；剥离第一基板；溶解第一胶层，以使第一胶层之位于相邻的两个微发光二极管芯片之间的部分被除去，第一胶层之连接微发光二极管芯片和微型振镜的部分被保留而形成弱化结构；在第三基板上形成第二胶层，并将第二胶层与多个微发光二极管芯片粘接；调节多个微型振镜中的部分微型振镜旋转，以使弱化结构断裂，使微发光二极管芯片与对应的微型振镜分离；将第三基板携带的多个微发光二极管芯片与显示背板键合，转移工艺简单，易于实施。
基本信息
专利标题 ：
微发光二极管芯片巨量转移方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112992757A
申请号 ：
CN202010631080.6
公开（公告）日 ：
2021-06-18
申请日 ：
2020-07-03
授权号 ：
CN112992757B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
张嘉修锺光韦江仁杰
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
熊永强
优先权 ：
CN202010631080.6
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L33/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-07-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20200703
申请日 : 20200703
2021-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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