一种垂直结构紫外发光二极管及其制备、巨量转移方法
公开
摘要
本发明涉及一种垂直结构紫外发光二极管及其制备、巨量转移方法，制备方法包括：在衬底表面依次沉积缓冲层、电流扩展层、第一电流阻挡层、牺牲层、第二电流阻挡层和LED目标层，得到外延结构；在所述外延结构上刻蚀阵列图形，得到外延阵列；在所述外延阵列上沉积Pd电极；在包含Pd电极的外延结构的表面沉积SiO2层；在所述外延阵列的SiO2层上开孔，得到开孔的外延阵列；在所述开孔的外延阵列上沉积第一键合金属；将沉积第一键合金属后的外延阵列与沉积第二键合金属的异质衬底进行键合，得到垂直结构的紫外发光二极管。采用本发明的制备方法得到的垂直结构紫外发光二极管的应用范围广。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直结构紫外发光二极管及其制备、巨量转移方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583030A
申请号 ：
CN202210201728.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王幸福林雨田
申请人 ：
华南师范大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区中山大道西55号
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
韩雪梅
优先权 ：
CN202210201728.5
主分类号 ：
H01L33/32
IPC分类号 ：
H01L33/32 H01L33/14 H01L33/06 H01L33/00 H01L27/15
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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