巨量转移方法及巨量转移装置
实质审查的生效
摘要
本公开提供的巨量转移方法和巨量转移装置，通过在上缓冲载体中设置上导正凹槽并在上导正凹槽建立真空，通过真空产生的吸力加速电子组件导引至上导正凹槽中，提高工作效率。
基本信息
专利标题 ：
巨量转移方法及巨量转移装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420622A
申请号 ：
CN202210004771.2
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张智文王志锋徐悠和张福庭翁肇鸿
申请人 ：
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号
代理机构 ：
北京植德律师事务所
代理人 ：
唐华东
优先权 ：
CN202210004771.2
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20220105
申请日 : 20220105
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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