微发光二极管的巨量转移方法和巨量转移装置
授权
摘要
本申请涉及一种微发光二极管的巨量转移方法和巨量转移装置，微发光二极管的巨量转移方法包括：提供多个微发光二极管，微发光二极管包括磊晶和与磊晶连接的第一电极及第一磁极，且第一磁极与第一电极具有间隔距离，多个微发光二极管设置在第一基板上；提供多个背板组件，背板组件包括背板和与背板连接的第二电极及第二磁极，第二电极和第一电极位置对应，第二磁极和第一磁极位置对应，且第二磁极和第一磁极的磁性相异，多个背板组件设置在第二基板上；将多个微发光二极管从第一基板剥离并转移至溶液中；通过喷墨组件将溶液中的多个微发光二极管与多个背板组件一一对位连接，其中，将第一磁极和第二磁极磁性吸附，将第一电极和第二电极连接。
基本信息
专利标题 ：
微发光二极管的巨量转移方法和巨量转移装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112992721A
申请号 ：
CN202010712689.6
公开（公告）日 ：
2021-06-18
申请日 ：
2020-07-22
授权号 ：
CN112992721B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
王斌许时渊范春林汪庆
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
熊永强
优先权 ：
CN202010712689.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L27/15 H01L33/48 H01L33/62
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-07-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20200722
申请日 : 20200722
2021-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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