微发光二极管芯片巨量转移方法及系统
授权
摘要
一种微发光二极管芯片巨量转移方法及系统，该方法包括：在延伸层上形成多个微发光二极管，将延伸层之背向微发光二极管芯片的表面贴合至第二基板；在第二基板上形成多条缝隙，每条缝隙与相邻的两个微发光二极管芯片之间的间隔对应；挤压延伸层，以使延伸层变形并延伸至缝隙内；拉伸延伸层；将多个微发光二极管芯片转移至背板。通过在第二基板上形成缝隙，通过挤压、拉伸延伸层进行扩晶，工艺简单，由于第二基板和延伸层的尺寸无限制，可一次性转移大量的微发光二极管芯片，转移数量不受限。
基本信息
专利标题 ：
微发光二极管芯片巨量转移方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112992720A
申请号 ：
CN202010711242.7
公开（公告）日 ：
2021-06-18
申请日 ：
2020-07-22
授权号 ：
CN112992720B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
李欣曈洪温振
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
熊永强
优先权 ：
CN202010711242.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683 H01L25/075 H01L27/15 H01L33/48 H01L33/62
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-07-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20200722
申请日 : 20200722
2021-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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