一种巨量转移MicroLED芯片的系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种巨量转移MicroLED芯片的系统，包括：基板，所述基板的表面设有第一金属层；MicroLED芯片预处理设备，用于在MicroLED芯片的底面镀有第二金属层；等离子清洗机，用于对基板的第一金属层的表面离子进行清洗，使第一金属层带正离子；紫外照射装置，用于对MicroLED芯片的第二金属层进行照射紫外光处理，使第二金属层带负离子；液体槽，所述液体槽内装有不导电液体。采用本实用新型，实现了巨量转移，操作简单，效率高，且定位精准。
基本信息
专利标题 ：
一种巨量转移MicroLED芯片的系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921774753.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-21
授权号 ：
CN211320053U
授权日 ：
2020-08-21
发明人 ：
仇美懿林耀辉庄家铭
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201921774753.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/68
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-08-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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