本发明提供了一种Micro‑LED的芯片体、弱化结构及巨量转移方法。Micro‑LED的弱化结构包括芯片体、载体基板和连接件，芯片体包括芯片、钝化层和生长基板，芯片连接于生长基板，钝化层贴附于芯片的表面；载体基板开设有用于容纳芯片体的容纳腔；连接件设于芯片体与载体基板之间，并用于连接芯片体和载体基板，其中，连接件为热熔性连接件。依据以上实施例中的Micro‑LED弱化结构，通过设置热熔性的连接件用于在载体基板上固定芯片体，相较于传统的弱化结构，无需进行繁琐的工艺操作即可实现芯片体与载体基板之间的连接，并且仅通过高温加热即可实现芯片体与载体基板的分离，整体结构简单，在对本弱化结构中的芯片体进行巨量转移时，可以有效提高转移效率。