一种用于LED芯片的巨量转移方法
授权
摘要
本发明公开了一种用于LED芯片的巨量转移方法，包括：提供第一衬底，在所述第一衬底上设置LED芯片，使所述LED芯片的电极背离所述第一衬底设置；在所述第一衬底背向所述LED芯片的一面刻蚀形成LED微结构；提供一驱动基板，将蚀刻完成的所述LED芯片与所述驱动基板对位，所述LED芯片的电极朝向所述驱动基板；将所述LED微结构断裂；所述LED芯片转移至所述驱动基板。解决了现有技术中LED微结构巨量转移的良率低和效率低的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种用于LED芯片的巨量转移方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113054074A
申请号 ：
CN202110226801.X
公开（公告）日 ：
2021-06-29
申请日 ：
2021-03-01
授权号 ：
CN113054074B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
杨梅慧钟文馗林伟瀚
申请人 ：
康佳集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区粤海街道科技园科技南十二路28号康佳研发大厦15-24层
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
谢松
优先权 ：
CN202110226801.X
主分类号 ：
H01L33/48
IPC分类号 ：
H01L33/48 H01L25/16 H01L21/78 H01L21/683
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-07-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/48
申请日 : 20210301
申请日 : 20210301
2021-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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