栅控二极管及芯片
授权
摘要
本申请实施例提供一种栅控二极管，其包括衬底、层叠于衬底上的栅极、栅极绝缘层、第一二维半导体层、第二二维半导体层、源极和与源极间隔设置的漏极；栅极嵌设于衬底的表面，栅极绝缘层覆盖衬底设有栅极的表面；第一二维半导体层层叠于栅极绝缘层上，第二二维半导体层部分层叠于栅极绝缘层上，另一部分层叠第一二维半导体层上，第二二维半导体层与第一二维半导体层层叠的部分形成异质结，异质结在基底的正投影位于栅极在基底层的正投影内；源极与第二二维半导体层电导通且与第一二维半导体层绝缘，漏极与第一二维半导体层电导通与第二二维半导体层绝缘，栅控二极管的导电通路为由源极经异质结至漏极，或者由漏极经异质结至源极。
基本信息
专利标题 ：
栅控二极管及芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112805837A
申请号 ：
CN201880098167.2
公开（公告）日 ：
2021-05-14
申请日 ：
2018-09-30
授权号 ：
CN112805837B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
李伟
申请人 ：
华为技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
熊永强
优先权 ：
CN201880098167.2
主分类号 ：
H01L29/66
IPC分类号 ：
H01L29/66
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-06-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/66
申请日 : 20180930
申请日 : 20180930
2021-05-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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