平面结构的GCT芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种平面结构的GCT芯片，包括引出阳极的P+发射极、与P+发射极贴合的n+缓冲层、与n+缓冲层相贴合的n漂移区，GCT芯片结构还包括：第一P+区域、第二P+区域及n+发射极，第一P+区域与n漂移区相贴合；第二P+区域与第一P+区域相贴合；n+发射极与第二P+区域连接，n+发射极引出阴极，第二P+区域引出门极，阴极与门极具有高度差，高度差的范围为0‑10μm。
基本信息
专利标题 ：
平面结构的GCT芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921566314.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-19
授权号 ：
CN210926024U
授权日 ：
2020-07-03
发明人 ：
赵彪刘佳鹏周文鹏曾嵘余占清陈政宇
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张陆军
优先权 ：
CN201921566314.2
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74 H01L21/332
法律状态
2020-07-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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