一种低温度系数平面二极管芯片结构
授权
摘要
本实用新型提供的一种低温度系数平面二极管芯片结构；包括P单晶片，所述P单晶片上分别加工有一个PN结和一个NP结，PN结和NP结表面均加工有铝层，所述PN结和NP结反向连接。本实用新型通过采用较低掺杂浓度的P单晶片制作两个不同的PN结反向连接，进行温度补偿，同时由于P单晶片的掺杂浓度较低，可以引入较高幅值的体电阻来辅助补偿温度引起的VZ的变化，使得产品的温度系数对档率得到提升。
基本信息
专利标题 ：
一种低温度系数平面二极管芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021242945.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-30
授权号 ：
CN212392248U
授权日 ：
2021-01-22
发明人 ：
袁正刚王光磊陈侃梁江华付航军
申请人 ：
中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请人地址 ：
贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号
代理机构 ：
贵州派腾知识产权代理有限公司
代理人 ：
汪劲松
优先权 ：
CN202021242945.1
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06 H01L29/36 H01L21/329 H01L23/34
法律状态
2021-01-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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