硅平面低温度系数稳压管
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种硅平面低温度系数稳压管，克服了现有的稳压管稳压值低、功率小、适用温度范围不够广的缺点，特征在于，在管座上分别粘接至少二个芯片，其中一个芯片上制作有稳压结，其它芯片上各制作有与稳压结的温度系数相匹配的补偿结，所说的稳压结与补偿结依次串接在一起，可满足航空、航天及处于环境温度急剧变化、特别是负温条件下设备工作的需要。
基本信息
专利标题 ：
硅平面低温度系数稳压管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN89218961.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1989-11-04
授权号 ：
CN2062499U
授权日 ：
1990-09-19
发明人 ：
祝春涛何书琴单志刚
申请人 ：
锦州市半导体二厂
申请人地址 ：
辽宁省锦州市凌河区杏花里矿山街23号
代理机构 ：
锦州市专利事务所
代理人 ：
王胜利
优先权 ：
CN89218961.4
主分类号 ：
H01L23/58
IPC分类号 ：
H01L23/58
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
法律状态
1993-03-03 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-05-08 ：
授权
1990-09-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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