一种超低漏电流超高浪涌能力的平面型稳压管芯片

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摘要

本实用新型公开了一种超低漏电流超高浪涌能力的平面型稳压管芯片，它属于稳压管技术领域，包括薄片状的芯片本体，所述芯片本体的上表面设有主结，所述主结的上表面设有顶部电极，所述芯片本体的下表面设有衬底，所述衬底的下表面设有底部电极，环绕所述顶部电极设有腐蚀环，所述腐蚀环的深度不低于所述主结的深度，所述腐蚀环内填充有钝化保护层，环绕所述腐蚀环设有金属放电环，环绕所述金属放电环设有切割槽；本实用新型通过金属放电环，可以有效的控制表面电荷，减少了边缘电场的集中效应，在不同程度上增加了反向击穿时电场和电流的分布均匀性，从而提高了反向耐压值，降低了隧道效应，避免了反向漏电流增加。

基本信息

专利标题：

一种超低漏电流超高浪涌能力的平面型稳压管芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020579112.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-17

授权号：

CN211578759U

授权日：

2020-09-25

发明人：

李兵葛宜威

申请人：

山东星合明辉电子有限公司

申请人地址：

山东省潍坊市高密市醴泉工业园盛泉街2333号

代理机构：

济南圣达知识产权代理有限公司

代理人：

孟雪

优先权：

CN202020579112.8

主分类号：

H01L29/40

IPC分类号：

H01L29/40 H01L29/06 H01L29/866