一种高浪涌能力低残压TVS防浪涌器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种高浪涌能力低残压TVS防浪涌器件，包括P型或N型衬底硅片，其中，在P型或N型衬底的双面通过PN结主结制备后减薄工艺和二次同型掺杂扩散结形成纵向TVS防浪涌器件，所述的PN结的结深为15‑35μm，在掺杂面的表面有接触金属层，在衬底侧面覆盖有钝化层。本实用新型对于对长波长浪涌能力有要求的器件，如：IEC61000 10/1000μs浪涌波形、ISO7637‑2 5A/5B波形提升效果明显。
基本信息
专利标题 ：
一种高浪涌能力低残压TVS防浪涌器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020521478.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-10
授权号 ：
CN211507644U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
单少杰魏峰范炜盛王帅张英鹏赵鹏范婷
申请人 ：
上海维安半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区施湾七路1001号
代理机构 ：
上海东亚专利商标代理有限公司
代理人 ：
董梅
优先权 ：
CN202020521478.X
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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