一种新型降低正向残压的单向保护器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种新型降低正向残压的单向保护器件，包括N型衬底硅片，在N型衬底片正面有推结较深的P型扩散区和推结较深的N型扩散区，在推结较深的P型扩散区有推结较浅的N型杂质扩散区和推结较浅的P型杂质扩散区，推结较深的N型扩散区通过金属与推结较浅的P型杂质扩散区相连，推结较浅的N型杂质扩散区通过氧化层开孔蒸发金属作为整个器件阴极引出；器件背面有推结较深的N型扩散区和推结较浅的P型杂质扩散区，两个扩区通过金属相连形成器件阳极引出。本实用新型通过在单向负阻结构中增加PNPN器件，并且将PNPN器件的门极通过电阻短路到阳极，从而实现了一种新型降低正向残压的单向保护器件。
基本信息
专利标题 ：
一种新型降低正向残压的单向保护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921723359.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-12
授权号 ：
CN212085004U
授权日 ：
2020-12-04
发明人 ：
吕海凤赵德益苏海伟王允赵志方霍田佳
申请人 ：
上海维安半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
代理机构 ：
上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
衣然
优先权 ：
CN201921723359.6
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-12-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
