一种低残压大浪涌单向骤回TVS器件
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型公开了一种低残压大浪涌单向骤回TVS器件，包括N型衬底，N型衬底上方设置P型外延层，P型外延层上设置SN层和SP层，SN层和SP层通过深槽隔离，本发提出的TVS器件在提供低漏电流的同时不仅将击穿电压降低，而且大幅提升了击穿方向的峰值电流IPP，同时降低了正向导通方向和负向击穿方向的钳位电压，使得被保护器件完全处于安全区内，使得该器件具有大功率、成本低等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种低残压大浪涌单向骤回TVS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921723357.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-12
授权号 ：
CN210272371U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
张啸苏海伟赵德益李洪赵志方王允吕海凤蒋骞苑冯星星李亚文
申请人 ：
上海长园维安微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
代理机构 ：
上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
衣然
优先权 ：
CN201921723357.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L27/02 H01L21/822
法律状态
2020-06-02 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 29/06
变更事项 : 专利权人
变更前 : 上海长园维安微电子有限公司
变更后 : 上海维安半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201202 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
变更后 : 201202 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
变更事项 : 专利权人
变更前 : 上海长园维安微电子有限公司
变更后 : 上海维安半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201202 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
变更后 : 201202 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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