一种大通流低残压TVS浪涌防护器件
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提供了一种大通流低残压TVS浪涌防护器件，其包括两颗TVS芯片和一颗TSS芯片，其中一颗TVS芯片与一颗TSS芯片串联后与第二颗TVS芯片并联组成所述器件。传统TVS器件工作电压越高抗瞬态浪涌能力越低，例如58V TVS芯片的抗浪涌能力仅有29V TVS芯片的一半左右。本实用新型通过低电压TVS芯片与TSS芯片串联形成耐高压组合，然后再与一颗TVS芯片并联，以达到进一步降低残压的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种大通流低残压TVS浪涌防护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921700972.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-12
授权号 ：
CN210325788U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
王帅苏海伟魏峰单少杰张英鹏金志任
申请人 ：
上海长园维安微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
代理机构 ：
上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
衣然
优先权 ：
CN201921700972.6
主分类号 ：
H01L25/00
IPC分类号 ：
H01L25/00 H01L25/07 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
法律状态
2020-11-20 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 25/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 上海长园维安微电子有限公司
变更后 : 上海维安半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201202 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
变更后 : 201202 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
变更事项 : 专利权人
变更前 : 上海长园维安微电子有限公司
变更后 : 上海维安半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201202 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
变更后 : 201202 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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