浪涌保护器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种浪涌保护器件。所述浪涌保护器件包括：衬底；位于所述衬底上的第一半导体层；位于所述第一半导体层中的第一掩埋层；所述第一半导体层还包括第一凹槽，所述衬底的一部分填充所述第一凹槽；其中，所述第一掩埋层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一面；所述第一凹槽位于所述第一半导体层靠近所述衬底的一面，且与所述第一掩埋层相对；覆盖所述第一掩埋层及所述第一半导体层的第二半导体层。本实用新型实施例能够降低浪涌保护器件的导通电压。
基本信息
专利标题 ：
浪涌保护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922446222.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN210897281U
授权日 ：
2020-06-30
发明人 ：
高骏华曾剑飞杨菲菲
申请人 ：
力特半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区硕放振发六路3号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
王小衡
优先权 ：
CN201922446222.7
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-06-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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