超低残压的双向ESD保护器件

著录事项变更

摘要

超低残压的双向ESD保护器件，包括P‑区（101），位于P‑区（101）上方的P+层（102）和N阱（103）；左侧N阱（103）顶部设第一P+接触区（104）以及第一N+接触区（105），左侧N阱（103）上方为阴极金属电极（109）；右侧N阱（103）顶部设第二P+接触区（106）以及第二N+接触区（107），右侧N阱（103）上方为阳极金属电极（110）；其中阴极金属电极（109）、阳极金属电极（110）与下方P+层（102）、N阱（103）的硅表面的非接触区域由绝缘介质层（108）隔离；该器件为双向对称结构。本实用新型实现了实现超低残压，降低了对集成电路的影响。

基本信息

专利标题：

超低残压的双向ESD保护器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921081651.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-11

授权号：

CN210349836U

授权日：

2020-04-17

发明人：

杨钰琳宋文龙张鹏

申请人：

成都吉莱芯科技有限公司

申请人地址：

四川省成都市自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司

代理人：

查鑫利

优先权：

CN201921081651.2

主分类号：

H01L27/02

IPC分类号：

H01L27/02 H01L29/06

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

法律状态

2020-07-28 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : H01L 27/02
变更事项 : 发明人
变更前 : 杨钰琳宋文龙张鹏
变更后 : 杨珏琳宋文龙张鹏

2020-04-17 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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